171-00-002,IGBT module 34 mm 1200 V, BSM50GB120DN2, Infineon
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BSM50GB120DN2 - 

IGBT module 34 mm 1200 V, BSM50GB120DN2, Infineon

Infineon BSM50GB120DN2
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制造商产品编号:
BSM50GB120DN2
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171-00-002
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BSM50GB120DN2HOSA1
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Infineon Technologies AG

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSM50GB120DN2
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Infineon Technologies AG

IGBT Modules 1200V 50A DUAL

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
BSM50GB120DN2HOSA1
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Infineon Technologies AG

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A nom - Trays (Alt: BSM50GB120DN2HOSA1)

RoHS: Compliant

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BSM50GB120DN2
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Infineon Technologies AG

IGBT module Connection: 3 x M5 Fastening: 2 x M6 Configuration: Half-Bridge Housing type: 34 mm Collector-emitter saturation voltage: 3.0 V Collector-emitter voltage: 1200 V

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BSM50GB120DN2|INFINEONBSM50GB120DN2
INFINEON
晶体管 IGBT双管模块 1200V
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Infineon - BSM50GB120DN2 - IGBT module 34 mm 1200 V, BSM50GB120DN2, Infineon
Infineon
IGBT module 34 mm 1200 V, BSM50GB120DN2, Infineon


型号:BSM50GB120DN2
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Infineon - BSM50GB120DN2 - Infineon BSM50GB120DN2 N通道 IGBT 模块, 串行, 78 A, Vce=1200 V, 7引脚 34MM 模块封装

制造商零件编号:
BSM50GB120DN2
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8195
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BSM50GB120DN2Family Information

  • Voltage control
  • Simple parallel wiring
  • Overload safe (no "second breakdown")
  • Avalanche-proof
  • An advantageous combination of MOSFET and bipolar transistors
  • Switching speed, control function and robustness are the same as for the Power MOSFET
  • The turn-on resistance is nevertheless slightly lower and could be compared to that of a bipolar darlington transistor
  • IGBTs have no inverse diodes

BSM50GB120DN2产地与重量

Country of origin Malaysia (MY)
Manufacturer Infineon
Gross weight (incl. package) 160.0 Gram
Dimensions (incl. package) 95 x 40 x 30 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111609
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