171-00-927,MOSFET N, 600 V 2.4 A 45 W IPAK, STD3NK60Z-1, ST
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STD3NK60Z-1 - 

MOSFET N, 600 V 2.4 A 45 W IPAK, STD3NK60Z-1, ST

ST STD3NK60Z-1
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制造商：
ST ST
制造商产品编号：
STD3NK60Z-1
仓库库存编号：
171-00-927
技术数据表：
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STD3NK60Z-1技术参数

Polarity N
Drain source voltage 600 V
Drain current 2.4 A
Closing resistance 3.3 Ohm
Housing type IPAK

STD3NK60Z-1产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 45 W
Recovery time 306 ns
Related Categories: Diodes | Power Management | Thyristors & Triacs | Transistors - Bipolar | Amplifiers & Comparators
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Related Manufacturers: Texas Instruments | Diotec | Microchip | IR | Vishay
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STD3NK60Z-1
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MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A

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MOSFET, N, I-PAK

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STMicroelectronics - STD3NK60Z-1 - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK60Z-1, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
制造商零件编号：
STD3NK60Z-1
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
687-5368
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STMicroelectronics - STD3NK60Z-1 - MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 45W（Tc） I-Pak

型号：STD3NK60Z-1
仓库库存编号：STD3NK60Z-1-ND

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ST - STD3NK60Z-1 - MOSFET N, 600 V 2.4 A 45 W IPAK, STD3NK60Z-1, ST		ST
MOSFET N, 600 V 2.4 A 45 W IPAK, STD3NK60Z-1, ST

型号：STD3NK60Z-1
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STD3NK60Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK60Z-1		9946357

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

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STD3NK60Z-1产地与重量

Country of origin Taiwan (TW)
Manufacturer ST
Gross weight (incl. package) 0.39 Gram
Dimensions (incl. package) 16 x 6 x 2 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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