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IXFN55N50 - 

MOSFET N, 500 V 55 A 600 W SOT-227B, IXFN55N50, Ixys

Ixys IXFN55N50
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制造商:
Ixys Ixys
制造商产品编号:
IXFN55N50
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171-31-364
技术数据表:
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IXFN55N50
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Littelfuse Inc MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B0
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IXFN55N50F
库存编号:IXFN55N50F-ND
IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B0
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IXFN55N50
库存编号:747-IXFN55N50
IXYS Corporation MOSFET Modules 55 Amps 500V 0.08 Rds0
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IXFN55N50
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IXYS Corporation MOSFET Modules 55 Amps 500V 0.08 Rds0
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IXFN55N50技术参数

Polarity N
Drain source voltage 500 V
Drain current 55 A
Closing resistance 85 mOhm
Housing type SOT-227B

IXFN55N50产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 600 W
Variants Enhancement mode
Recovery time 250 ns
Related Categories: Rectifier Diodes | Thyristors & Triacs | Diodes | Transistors - MOSFETs | Solid State Relays & Contactors
Related Products: MOSFET N, 25 V 0.22 A 350 mW SOT-23 | MOSFET N, 40 V 3.6 A 1.3 W SOT-23 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 30 V 2.2 A 500 mW SOT-23
Related Manufacturers: Diotec | IR | ST | Vishay | Crydom
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IXFN55N50F
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN55N50
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

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IXFN55N50
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IXYS Corporation

MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds

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IXYS Corporation

MOSFET

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IXFN55N50
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IXYS Corporation

Trans MOSFET N-CH 500V 55A 4-Pin SOT-227B

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IXFN55N50
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Trans MOSFET N-CH Si 500V 55A 4-Pin SOT-227B

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IXYS Corporation

Trans MOSFET N-CH Si 500V 55A 4-Pin SOT-227B

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MOSFET, N, RF, SOT-227B

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IXFN55N50
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IXYS Corporation

Single N-Channel 500 V 625 W 330 nC Chassis Mount Power Mosfet - SOT227B

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IXFN55N50
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IXYS Corporation

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-227B Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 600 W

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IXFN55N50
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IXYS Corporation

Module, single transistor, Uds:500V, Id:55A, SOT227B, 625W, screw

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IXFN55N50|IXYSIXFN55N50
IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
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IXFN55N50|IxysIXFN55N50
Ixys
MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds
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IXFN55N50F|IxysIXFN55N50F
Ixys
MOSFET
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IXYS - IXFN55N50 - MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

详细描述:底座安装 N 沟道 55A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN55N50
仓库库存编号:IXFN55N50-ND
别名:470724 <br>

无铅
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IXYS - IXFN55N50F - MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

详细描述:底座安装 N 沟道 55A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN55N50F
仓库库存编号:IXFN55N50F-ND

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXFN55N50
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN55N50
4905647

IXYS SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 55 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 4.5 V

(EN)
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IXFN55N50F
IXYS RF IXFN55N50F
1347748

IXYS RF

晶体管, 射频FET, 500 V, 55 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B

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Ixys - IXFN55N50 - MOSFET N, 500 V 55 A 600 W SOT-227B, IXFN55N50, Ixys
Ixys
MOSFET N, 500 V 55 A 600 W SOT-227B, IXFN55N50, Ixys


型号:IXFN55N50
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无图IXFN55N50F
Ixys
MOSFET
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IXFN55N50F|IXYS RFIXFN55N50F
IXYS RF
场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
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IXFN55N50|IxysIXFN55N50
Ixys
MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds
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QQ:800152669

IXFN55N50Family Information

  • The HiPerFET? power MOSFETs are now also available as Q class. For this series a lower line capacitance was realized due to a new chip. Thus, the transistor can also be switched at high frequencies with a lower drive performance.
  • High-performance MOSFETs with fast reverse diodes
  • Designed for low dv/dt sensitivity during current commutation
  • No external free-wheeling diodes necessary for bridge configuration with an inductive load

IXFN55N50产地与重量

Country of origin United States (US)
Manufacturer Ixys
Gross weight (incl. package) 30.0 Gram
Dimensions (incl. package) 38 x 20 x 12 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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