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IRF7306PBF -

MOSFET P, -30 V -4.0 A 2.0 W SO-8, IRF7306PBF, IR

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制造商：: IR IR
制造商产品编号：: IRF7306PBF
仓库库存编号：: 171-15-454
技术数据表：

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IRF7306PBF技术参数

Polarity	P
Drain source voltage	-30 V
Drain current	-4.0 A
Closing resistance	100 mOhm
Housing type	SO-8

IRF7306PBF产品信息

Operating temperature	-55...+150 °C
Power dissipation	2.0 W
Recovery time	80 ns

Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom

Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC Tube

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MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8

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Dual P-Channel 30 V 100 mOhm 25 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS -30V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -3.6A, SO-8, PD 2W, VGS +/-20V

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Transistor: P-MOSFET x2, unipolar, -30V, -3.6A, 2W, SO8, HEXFET?

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IRF7306PBF	9102205	INFINEON 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 100 mohm, -10 V, -1 V (EN)	搜索