171-15-645,MOSFET N/P, 30 V / -30 V 6.5 A / -4.9 A 2.0 W SO-8, IRF7319PBF, IR
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IRF7319PBF - 

MOSFET N/P, 30 V / -30 V 6.5 A / -4.9 A 2.0 W SO-8, IRF7319PBF, IR

IR IRF7319PBF
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制造商：
IR IR
制造商产品编号：
IRF7319PBF
仓库库存编号：
171-15-645
技术数据表：
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IRF7319TRPBF
库存编号:IRF7319PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 8SO14475
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IRF7319TRPBF
库存编号:IRF7319PBFCT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 8SO14475
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
2000+
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IRF7319TRPBF
库存编号:IRF7319PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 8SO12000
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IRF7319PBF
库存编号:IRF7319PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 8SO0
4000起订		6-10天询价 询价
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IRF7319PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.5A I(D), 30V, 0.029OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA636
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￥17.86
￥14.29
1-3周购买 购买
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IRF7319PBF技术参数

Polarity N/P
Drain source voltage -30 V
30 V
Drain current -4.9 A
6.5 A
Closing resistance 46 mOhm
98 mOhm
Housing type SO-8

IRF7319PBF产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 2.0 W
Recovery time 68/66 ns
Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom
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Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
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IRF7319TRPBF
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MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

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MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

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MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

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MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

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IRF7319PBF
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MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 58mOhms 22nC

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IRF7319PBF
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Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC Tube

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IRF7319PBF
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7319PBF)

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Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7319PBF)

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Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC Tube

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Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC Tube

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Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC Tube

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MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8

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Dual N/P-Channel 30V 0.029/0.058 Ohm 22/23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Dual N/P-Channel 30V 0.029/0.058 Ohm 22/23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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IRF7319PBF
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IRF7319PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.9 A, 6.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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IRF7319PBF
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IRF7319PBF
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IRF7319PBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/P Power dissipation: 2.0 W

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IRF7319PBF
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Transistor: N/P-MOSFET, unipolar, 30/-30V, 6.5/-4.9A, 2W, SO8

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IR - IRF7319PBF - MOSFET N/P, 30 V / -30 V 6.5 A / -4.9 A 2.0 W SO-8, IRF7319PBF, IR		IR
MOSFET N/P, 30 V / -30 V 6.5 A / -4.9 A 2.0 W SO-8, IRF7319PBF, IR

型号：IRF7319PBF
仓库库存编号：171-15-645

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IRF7319PBF|International RectifierIRF7319PBF
International Rectifier		MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC
Rohs

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IRF7319PBF|International RectifierIRF7319PBF
International Rectifier		MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC
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IRF7319PBF|International RectifierIRF7319PBF
International Rectifier		MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC
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IRF7319PBF
INFINEON IRF7319PBF		9102167

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V

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IRF7319PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7319PBF		2565740

INTERNATIONAL RECTIFIER

双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC

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Infineon - IRF7319PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7319PBF, 4.9 A，6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
IRF7319PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-0301
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF7319PBF产地与重量

Country of origin Malaysia (MY)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 1.0 Gram
Dimensions (incl. package) 49 x 15 x 6 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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