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IRF7805PBF - 

MOSFET N, 30 V 10 A 2.5 W SO-8, IRF7805PBF, IR

IR IRF7805PBF
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制造商:
IR IR
制造商产品编号:
IRF7805PBF
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171-38-019
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IRF7805PBF
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IRF7805PBF技术参数

Polarity N
Drain source voltage 30 V
Drain current 10 A
Closing resistance 11 mOhm
Housing type SO-8

IRF7805PBF产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 2.5 W
Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom
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MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC

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MOSFET, N, LOGIC, SO-8

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Single N-Channel 30 V 11 mOhm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 9.2Milliohms, ID 13A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-12V

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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 13A, 2.5W, SO8, HEXFET?

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IRF7805PBF
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13 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF7805PBF
INFINEON IRF7805PBF
1013438

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11 mohm, 4.5 V, 3 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7805PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7805PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2010
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IR - IRF7805PBF - MOSFET N, 30 V 10 A 2.5 W SO-8, IRF7805PBF, IR
IR
MOSFET N, 30 V 10 A 2.5 W SO-8, IRF7805PBF, IR


型号:IRF7805PBF
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IRF7805PBF|International RectifierIRF7805PBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
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IRF7805PBF产地与重量

Country of origin Thailand (TH)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 1.0 Gram
Dimensions (incl. package) 5 x 5 x 2 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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