171-37-961,MOSFET N, 200 V 3 A 2.5 W SO-8, IRF7492PBF, IR
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IRF7492PBF - 

MOSFET N, 200 V 3 A 2.5 W SO-8, IRF7492PBF, IR

IR IRF7492PBF
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制造商:
IR IR
制造商产品编号:
IRF7492PBF
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171-37-961
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IRF7492PBF
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO0
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IRF7492PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.7A I(D), 200V, 0.079OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA95
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IRF7492PBF技术参数

Polarity N
Drain source voltage 200 V
Drain current 3 A
Closing resistance 79 mOhm
Housing type SO-8

IRF7492PBF产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 2.5 W
Recovery time 100 ns
Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom
Related Products: MOSFET N, 25 V 0.22 A 350 mW SOT-23 | MOSFET N, 40 V 3.6 A 1.3 W SOT-23 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 30 V 2.2 A 500 mW SOT-23
Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
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型号 制造商 描述 操作
IRF7492PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC

RoHS: Compliant

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IRF7492PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, 200V, 3.7A, 79 MOHM, 39 NC QG, SO-8

RoHS: Compliant

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IRF7492PBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W

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IR - IRF7492PBF - MOSFET N, 200 V 3 A 2.5 W SO-8, IRF7492PBF, IR
IR
MOSFET N, 200 V 3 A 2.5 W SO-8, IRF7492PBF, IR


型号:IRF7492PBF
仓库库存编号:171-37-961

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IRF7492PBF
INFINEON IRF7492PBF
9264353

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 200 V, 79 mohm, 10 V, 2.5 V

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IRF7492PBF|International RectifierIRF7492PBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
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IRF7492PBF|International RectifierIRF7492PBF
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MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
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QQ:800152669

IRF7492PBF产地与重量

Country of origin Thailand (TH)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 1.0 Gram
Dimensions (incl. package) 5 x 5 x 2 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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