171-03-049,MOSFET P, -200 V -11 A 125 W TO-220, NTE2373, NTE
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NTE2373 - 

MOSFET P, -200 V -11 A 125 W TO-220, NTE2373, NTE

NTE NTE2373
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制造商：
NTE NTE
制造商产品编号：
NTE2373
仓库库存编号：
171-03-049
技术数据表：
 
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
NTE2373
库存编号:NTE2373		 NTE Electronics Inc Transistor: P-MOSFET, unipolar, -200V, -6.8A, Idm: -44A, 125W, TO2202
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NTE2373技术参数

Polarity P
Drain source voltage -200 V
Drain current -11 A
Closing resistance 0.5 Ohm
Housing type TO-220

NTE2373产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 125 W
Variants Enhancement mode
Recovery time 300 ns
Related Products: MOSFET N, 25 V 0.22 A 350 mW SOT-23 | MOSFET N, 40 V 3.6 A 1.3 W SOT-23 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 30 V 2.2 A 500 mW SOT-23
Related Categories: Logic | Transistors | Transistors - Bipolar | Diodes | Thermal Fuses
Related Manufacturers: Texas Instruments | NXP | ST | Everlight Electronics | Diotec
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NTE2373
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Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220

RoHS: Compliant

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NTE2373
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P CHANNEL MOSFET, -200V, -11A TO-220

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NTE2373
[更多]		 NTE Electronics Inc

PWR MOSFET P-Ch 200V ID=11A TO-220 HIHHSPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE RDS=0.5OHM

RoHS: Compliant

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NTE - NTE2373 - MOSFET P, -200 V -11 A 125 W TO-220, NTE2373, NTE		NTE
MOSFET P, -200 V -11 A 125 W TO-220, NTE2373, NTE

型号：NTE2373
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NTE Electronics, Inc. - NTE2373 - PWR MOSFET P-Ch 200V ID=11A TO-220 HIHHSPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE RDS=0.5OHM|70515342 | ChuangWei Electronics		NTE Electronics, Inc.
PWR MOSFET P-Ch 200V ID=11A TO-220 HIHHSPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE RDS=0.5OHM

型号：NTE2373
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NTE2373|NTE ELECTRONICSNTE2373
NTE ELECTRONICS		场效应管 MOSFET P沟道 -200V 11A TO-220
Rohs

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NTE ELECTRONICS		场效应管 MOSFET P沟道 -200V 11A TO-220
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NTE2373产地与重量

Country of origin United States (US)
Manufacturer NTE
Gross weight (incl. package) 4.56 Gram
Dimensions (incl. package) 160 x 95 x 4 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
EAN 768249410515
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