Polarity | N |
Drain source voltage | 20 V |
Drain current | 48 A |
Closing resistance | 19 mOhm |
Housing type | TO-220 |
Operating temperature | -55...+150 °C |
Power dissipation | 69 W |
Recovery time | 100 ns |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL3202PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 28.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL3202PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 0.019Ohm, ID 48A, TO-220AB, PD 69W, VGS +/-10V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL3202PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 69 W
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) TO-220AB 型号:IRL3202PBF 仓库库存编号:IRL3202PBF-ND 别名:*IRL3202PBF <br>SP001571790 <br> | 无铅 | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 20 V 48 A 69 W TO-220, IRL3202PBF, IR 型号:IRL3202PBF 仓库库存编号:171-17-914 | 搜索 |