300-02-239,MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR
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IRF7329PBF - 

MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR

IR IRF7329PBF
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制造商:
IR IR
制造商产品编号:
IRF7329PBF
仓库库存编号:
300-02-239
技术数据表:
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IRF7329PBF技术参数

Polarity P/P
Drain source voltage 12 V
Drain current 9.2 A
Closing resistance 17 mOhm
Housing type SO-8

IRF7329PBF产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 2 W
Drive logic level
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MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

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MOSFET 20V DUAL P-CH HEXFET 17mOhms 38nC

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Dual P-Channel 12 V 17 mOhm 38 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS -12V, RDS(ON) 17 Milliohms, ID -9.2A, SO-8, PD 2W, -55de

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9.2 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA

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IR - IRF7329PBF - MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR
IR
MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR


型号:IRF7329PBF
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IRF7329PBF
INFINEON IRF7329PBF
1013375

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV

(EN)
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Infineon - IRF7329PBF - Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7329PBF, 9.2 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7329PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8894
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International Rectifier - IRF7329PBF - -55de PD 2W SO-8 ID -9.2A RDS(ON) 17 Milliohms VDSS -12V Dual P-Ch MOSFET, Power|70017580 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de


型号:IRF7329PBF
仓库库存编号:70017580

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF7329PBF产地与重量

Country of origin Philippines (PH)
Manufacturer IR
Dimensions (incl. package) 0 x 0 x 0
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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