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IRF7853PBF - 

MOSFET N, 100 V 6.6 A 2.5 W SO-8, IRF7853PBF, IR

IR IRF7853PBF
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制造商:
IR IR
制造商产品编号:
IRF7853PBF
仓库库存编号:
171-37-946
技术数据表:
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IRF7853PBF技术参数

Polarity N
Drain source voltage 100 V
Drain current 6.6 A
Closing resistance 18 mOhm
Housing type SO-8

IRF7853PBF产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 2.5 W
Recovery time 68 ns
Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
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Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom
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IRF7853PBF
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MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 14.4 Milliohms, ID 8.3A, SO-8, PD 2.5W, gFS 11S

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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W

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MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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IRF7853PBF
INFINEON IRF7853PBF
1298555

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.9 V

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INFINEON IRF7853PBF
1298555RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.9 V

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Infineon - IRF7853PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7853PBF, 8.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7853PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6888
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IR - IRF7853PBF - MOSFET N, 100 V 6.6 A 2.5 W SO-8, IRF7853PBF, IR
IR
MOSFET N, 100 V 6.6 A 2.5 W SO-8, IRF7853PBF, IR


型号:IRF7853PBF
仓库库存编号:171-37-946

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International Rectifier - IRF7853PBF - gFS 11S PD 2.5W SO-8 ID 8.3A RDS(ON) 14.4 Milliohms VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70017361 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S


型号:IRF7853PBF
仓库库存编号:70017361

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IRF7853PBF|International RectifierIRF7853PBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Rohs

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IRF7853PBF产地与重量

Country of origin Thailand (TH)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 1.0 Gram
Dimensions (incl. package) 5 x 5 x 2 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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