Collector-emitter breakdown voltage | 600 V |
Collector current | 30 A |
Collector-emitter saturation voltage | 2.1 V |
Current release time | 200 ns |
Housing type | TO-247 |
Power dissipation | 208 W |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 208W TO247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel RoHS: Compliant | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Bulk (Alt: HGTG30N60B3D) RoHS: Compliant | 搜索 |
HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Rail/Tube (Alt: HGTG30N60B3D) RoHS: Compliant | 搜索 |
HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG30N60B3D) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | PTPIGBT TO247 60A 600V
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | PTPIGBT TO247 60A 600V
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HGTG30N60B3D.. [更多] | ON Semiconductor | IGBT,N CH,600V,30A,TO-247
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HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | HGTG30N60B3D Series 600 V 60 A Flange Mount UFS N-Channel IGBT-TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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HGTG30N60B3D [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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HGTG30N60B3D [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | IGBT Housing type: TO-247 Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 200 ns Power dissipation: 208 W
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 60A 208W TO247 详细描述:IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247 型号:HGTG30N60B3D 仓库库存编号:HGTG30N60B3D-ND | 无铅 | 搜索 |
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HGTG30N60B3D..![]() | 1838984 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 ![]() | 搜索 |