300-38-462,Power FET SOIC-8 N/P 30 V 4 A, IRF7309PBF, IR
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IRF7309PBF - 

Power FET SOIC-8 N/P 30 V 4 A, IRF7309PBF, IR

IR IRF7309PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IR IR
制造商产品编号：
IRF7309PBF
仓库库存编号：
300-38-462
技术数据表：
View IRF7309PBF Datasheet Datasheet
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7309TRPBF
库存编号:IRF7309PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO11762
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IRF7309TRPBF
库存编号:IRF7309PBFCT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO11762
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10+
100+
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IRF7309TRPBF
库存编号:IRF7309PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO8000
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IRF7309PBF
库存编号:IRF7309PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO0
4000起订		6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF7309PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4A I(D), 30V, 0.05OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA60
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IRF7309PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4A I(D), 30V, 0.05OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA37
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1-3周购买 购买
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IRF7309PBF技术参数

Polarity N/P
Drain source voltage 30 V
Drain current 4 A
Closing resistance 80 mOhm
Housing type SOIC-8

IRF7309PBF产品信息

Power dissipation 1.4 W
Operating temperature -55...+150 °C
Variants Enhancement mode

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IRF7309TRPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7309TRPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7309TRPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7309PBF)

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7309PBF)

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IRF7309PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG  

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IRF7309PBF
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型号 制造商 描述 操作
IRF7309PBF
[更多]		 International Rectifier

Power FET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOIC-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.4 W

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IRF7309PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Transistor: N/P-MOSFET, unipolar, 30/-30V, 4/-3A, 1.4W, SO8

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IRF7309PBF
[更多]		 International Rectifier

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4A I(D), 30V, 0.05OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA

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Infineon - IRF7309PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7309PBF, 3 A，4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
IRF7309PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
542-9377
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IRF7309PBF
INFINEON IRF7309PBF		9102175

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

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IR - IRF7309PBF - Power FET SOIC-8 N/P 30 V 4 A, IRF7309PBF, IR		IR
Power FET SOIC-8 N/P 30 V 4 A, IRF7309PBF, IR

型号：IRF7309PBF
仓库库存编号：300-38-462

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IRF7309PBF|International RectifierIRF7309PBF
International Rectifier		MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
Rohs

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IRF7309PBF|International RectifierIRF7309PBF
International Rectifier		MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
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IRF7309PBF|International RectifierIRF7309PBF
International Rectifier		MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
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QQ:800152669

IRF7309PBFFamily Information

  • Logic level gate drive
  • Low on-resistance

IRF7309PBF产地与重量

Country of origin Switzerland (CH)
Manufacturer IR
Dimensions (incl. package) 0 x 0 x 0
Customs number 8542399000
UNSPSC (v5.03) 32101619
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深圳市市场监督管理局企业主体身份公示