171-37-240,MOSFET N, 60 V 21 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5006TR2PBF, IR
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IRFH5006TR2PBF - 

MOSFET N, 60 V 21 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5006TR2PBF, IR

IR IRFH5006TR2PBF
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制造商:
IR IR
制造商产品编号:
IRFH5006TR2PBF
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171-37-240
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IRFH5006TR2PBF
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN0
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IRFH5006TR2PBF International Rectifier  
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IRFH5006TR2PBF技术参数

Polarity N
Drain source voltage 60 V
Drain current 21 A
Closing resistance 4.1 mOhm
Housing type PQFN-8 (5x6)

IRFH5006TR2PBF产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 3.6 W
Recovery time 42 ns
Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom
Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
Related Products: MOSFET N, 25 V 0.22 A 350 mW SOT-23 | MOSFET N, 40 V 3.6 A 1.3 W SOT-23 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 60 V 16 A 45 W TO-220 | MOSFET N, 30 V 2.2 A 500 mW SOT-23
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg

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Infineon Technologies AG

IRFH5006TR2PBF N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 8-Pin PQFN

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IR - IRFH5006TR2PBF - MOSFET N, 60 V 21 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5006TR2PBF, IR
IR
MOSFET N, 60 V 21 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5006TR2PBF, IR


型号:IRFH5006TR2PBF
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Infineon - IRFH5006TR2PBF - Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5006TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装

制造商零件编号:
IRFH5006TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7771
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Infineon Technologies - IRFH5006TR2PBF - MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 21A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)

型号:IRFH5006TR2PBF
仓库库存编号:IRFH5006TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5006TR2PBFCT <br>

无铅
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IRFH5006TR2PBF
INFINEON IRFH5006TR2PBF
1813405

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 3.5 mohm, 10 V, 4 V

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IRFH5006TR2PBF产地与重量

Country of origin Malaysia (MY)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 0.4 Gram
Dimensions (incl. package) 12 x 8 x 2 MM
UNSPSC (v5.03) 32111603
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