171-38-001,MOSFET N, 30 V 10 A 1.6 W SO-8, IRF7413ZPBF, IR
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IRF7413ZPBF - 

MOSFET N, 30 V 10 A 1.6 W SO-8, IRF7413ZPBF, IR

IR IRF7413ZPBF
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制造商:
IR IR
制造商产品编号:
IRF7413ZPBF
仓库库存编号:
171-38-001
技术数据表:
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IRF7413ZPBF技术参数

Polarity N
Drain source voltage 30 V
Drain current 10 A
Closing resistance 10 mOhm
Housing type SO-8

IRF7413ZPBF产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 1.6 W
Recovery time 36 ns
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Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom
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MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 8 Milliohms, ID 13A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V

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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 1.6 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 13A, 2.5W, SO8, HEXFET?

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IR - IRF7413ZPBF - MOSFET N, 30 V 10 A 1.6 W SO-8, IRF7413ZPBF, IR
IR
MOSFET N, 30 V 10 A 1.6 W SO-8, IRF7413ZPBF, IR


型号:IRF7413ZPBF
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International Rectifier - IRF7413ZPBF - VGS +/-20V PD 2.5W SO-8 ID 13A RDS(ON) 8 Milliohms VDSS 30V N-Ch MOSFET, Power|70017511 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 13A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V


型号:IRF7413ZPBF
仓库库存编号:70017511

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7413ZPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413ZPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7413ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0296
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF7413ZPBF
INFINEON IRF7413ZPBF
1013430

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.8 V

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IRF7413ZPBF产地与重量

Country of origin Thailand (TH)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 1.0 Gram
Dimensions (incl. package) 5 x 5 x 2 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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