171-09-614,MOSFET P, -25 V -0.12 A 350 mW SOT-23, FDV302P, Fairchild
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FDV302P - 

MOSFET P, -25 V -0.12 A 350 mW SOT-23, FDV302P, Fairchild

Fairchild FDV302P
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制造商产品编号：
FDV302P
仓库库存编号：
171-09-614
技术数据表：
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FDV302P技术参数

Polarity P
Drain source voltage -25 V
Drain current -0.12 A
Closing resistance 10.6 Ohm
Housing type SOT-23

FDV302P产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 350 mW
Variants Enhancement mode
Related Categories: Transistors - MOSFETs | Logic | Diodes | Optocouplers | Transistors
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Related Manufacturers: Texas Instruments | NXP | ST | IR | Diotec
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FDV302PFamily Information

  • Low switching losses thanks to short switching times and smallest R DS (ON)

FDV302P产地与重量

Country of origin United States (US)
Manufacturer Fairchild
Gross weight (incl. package) 0.1 Gram
Dimensions (incl. package) 8 x 4 x 2 MM
Customs number 8541210000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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