300-41-564,MOSFET N/N, 100 V 2.1 A 1.8 W SO-8, ZXMN10A08DN8TA, Diodes Incorporated
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ZXMN10A08DN8TA - 

MOSFET N/N, 100 V 2.1 A 1.8 W SO-8, ZXMN10A08DN8TA, Diodes Incorporated

Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ZXMN10A08DN8TA
仓库库存编号：
300-41-564
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ZXMN10A08DN8TA技术参数

Polarity N/N
Drain source voltage 100 V
Drain current 2.1 A
Closing resistance 0.25 Ohm@ 2.1 A, 100 V
Housing type SO-8

ZXMN10A08DN8TA产品信息

Operating temperature -55...+150 °C
Power dissipation 1.8 W
Variants Enhancement mode
电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMN10A08DN8TAFamily Information

  • Low On-resistance
  • Low gate threshold voltage
  • Low input capacitance

ZXMN10A08DN8TA产地与重量

Country of origin Japan (JP)
Manufacturer Diodes Incorporated
Gross weight (incl. package) 1.0 Gram
Dimensions (incl. package) 0 x 0 x 0
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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