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IRGB4059DPBF - 

IGBT TO-220AB 600 V 8 A, IRGB4059DPBF, IR

IR IRGB4059DPBF
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制造商：
IR IR
制造商产品编号：
IRGB4059DPBF
仓库库存编号：
171-39-769
技术数据表：
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IRGB4059DPBF技术参数

Collector-emitter breakdown voltage 600 V
Collector current 8 A
Collector-emitter saturation voltage 2.05 V
Current release time 15 ns
Housing type TO-220AB

IRGB4059DPBF产品信息

Power dissipation 56 W

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IGBT Transistors 600V UltraFast Trench IGBT

RoHS: Compliant

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 56000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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SINGLE IGBT, 600V

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International Rectifier		IGBT ULT FAST DIO 600V TO-220AB
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IR - IRGB4059DPBF - IGBT TO-220AB 600 V 8 A, IRGB4059DPBF, IR		IR
IGBT TO-220AB 600 V 8 A, IRGB4059DPBF, IR

型号：IRGB4059DPBF
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Infineon - IRGB4059DPBF - Infineon IRGB4059DPBF N沟道 IGBT, 8 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRGB4059DPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
650-3640
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Infineon Technologies - IRGB4059DPBF - IGBT 600V 8A 56W TO220AB		Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 56W TO220AB
详细描述：IGBT Trench 600V 8A 56W Through Hole TO-220AB

型号：IRGB4059DPBF
仓库库存编号：IRGB4059DPBF-ND
别名：SP001542260 <br> 		无铅搜索
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IRGB4059DPBFFamily Information

  • Lower collector-emitter saturation voltage than punch-through (PT) and non-punch-through (NPT) IGBTs
  • IGBTs operate at junction temperatures of up to 175 °C

IRGB4059DPBF产地与重量

Country of origin Mexico (MX)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 2.0 Gram
Dimensions (incl. package) 30 x 10 x 4 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111609
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