171-20-876,IGBT TO-220AB 600 V 20 A, IRGB4064DPBF, IR
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IRGB4064DPBF - 

IGBT TO-220AB 600 V 20 A, IRGB4064DPBF, IR

IR IRGB4064DPBF
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制造商：
IR IR
制造商产品编号：
IRGB4064DPBF
仓库库存编号：
171-20-876
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IRGB4064DPBF技术参数

Collector-emitter breakdown voltage 600 V
Collector current 20 A
Collector-emitter saturation voltage 1.91 V
Current release time 21 ns
Housing type TO-220AB

IRGB4064DPBF产品信息

Power dissipation 101 W

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Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
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IRGB4064DPBFFamily Information

  • Lower collector-emitter saturation voltage than punch-through (PT) and non-punch-through (NPT) IGBTs
  • IGBTs operate at junction temperatures of up to 175 °C

IRGB4064DPBF产地与重量

Country of origin Mexico (MX)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 2.0 Gram
Dimensions (incl. package) 29 x 10 x 5 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111609
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