171-00-370,IGBT SOT-227B 1200 V 85 A, IXDN55N120D1, Ixys
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IXDN55N120D1 - 

IGBT SOT-227B 1200 V 85 A, IXDN55N120D1, Ixys

Ixys IXDN55N120D1
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制造商：
Ixys Ixys
制造商产品编号：
IXDN55N120D1
仓库库存编号：
171-00-370
技术数据表：
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IXDN55N120D1技术参数

Collector-emitter breakdown voltage 1200 V
Collector current 85 A
Collector-emitter saturation voltage 2.5 V
Current release time 70 ns
Housing type SOT-227B

IXDN55N120D1产品信息

Power dissipation 450 W
Description SCSOA with recovery diode
Related Categories: Rectifier Diodes | Thyristors & Triacs | Diodes | Transistors - MOSFETs | Solid State Relays & Contactors
Related Manufacturers: Diotec | IR | ST | Vishay | Crydom
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IXDN55N120D1产地与重量

Country of origin United States (US)
Manufacturer Ixys
Gross weight (incl. package) 27.0 Gram
Dimensions (incl. package) 40 x 25 x 15 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111609
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